Нижегородские ученые создали материал для улучшения кремниевых микросхем

Фото: пресс-служба ННГУ

Специалисты физического факультета ННГУ имени Лобачевского разработали новый материал, способный значительно улучшить характеристики кремниевых микросхем. Об этом сообщили в пресс-службе вуза.

По ее данным, ученые впервые получили устойчивую пленку кремния в гексагональной кристаллической фазе — это открытие может повысить производительность процессоров и энергоэффективность транзисторов.

Как объясняет доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий Антон Конаков, гексагональная фаза кремния отличается повышенной проводимостью в определенных направлениях. Это позволяет увеличивать ток при меньшем напряжении, что особенно важно для современной микроэлектроники.

Ранее такие структуры считались нестабильными и быстро переходили в традиционную форму кремния. Однако нижегородским ученым удалось добиться устойчивости материала. Пленка выращивается на стандартной кремниевой подложке и стабилизируется верхним слоем германия, благодаря чему формируется сплошной и однородный слой гексагонального кремния.

Разработка остается уникальной не только в российской, но и в мировой практике. Исследователи планируют адаптировать технологию под нужды отечественной микроэлектронной промышленности и масштабировать ее для применения на больших участках микросхем.

Автор разработки, доцент кафедры физики полупроводников, электроники и наноэлектроники физического факультета Николай Кривулин добавил, что кроме самого материала, команда разработала оригинальные установки для выращивания тонких пленок кремния и германия. Эти решения также запатентованы и могут использоваться для создания широкого спектра структур, востребованных в микроэлектронике.

Проект выполнен в рамках федеральной программы "Приоритет-2030" и получил патентную защиту при содействии Центра трансфера технологий ННГУ в 2024 году.

Ранее сообщалось, что нижегородские ученые запускают платформу для диагностики эпилепсии.